霍永恒，中国科学技术大学教授，博士生导师。曾入选国家高层次人才特殊支持计划科技创新领军人才、国家创新人才计划青年项目、中国科学院百人计划（终期考核优秀）、上海创新人才计划长期项目、上海浦江人才等。2006.07于天津大学获学士学位，2011.01于中科院半导体所获博士学位(导师：陈良惠院士、马文全研究员）。2011.02-2015.03在德国莱布尼茨固态和材料研究所（IFW Dresden）工作，先后任博士后（IFW Scholarship，合作导师Prof. Armando Rastelli, Prof. Oliver G Schmidt）和分子束外延实验室负责人（Scientist）。2015.04-2016.06在奥地利林茨大学任高级研究员（Senior Researcher），负责搭建III/V分子束外延系统。2016.07回国到中国科学技术大学工作。

高性能的量子器件是量子信息发展的基础和前提，也是制约行业发展的瓶颈。霍永恒多年聚焦于同半导体芯片工艺兼容的量子信息材料、器件及相关物理问题的研究。首次实现了基态为轻空穴的半导体量子点，可直接发射纠缠光子对的(001)GaAs量子点，以及用于可调谐电泵浦高速单光子源和纠缠光子源的量子光源材料。基于其制备的量子点样品目前保持着单光子源和纠缠光子源综合性能最优的记录，使我国在确定性量子光源研究上处于国际领先水平。通过创新材料制备和器件加工技术为“祖冲之号”系列超导量子处理器的研制提供了基础材料与器件保障，助力我国在超导量子计算领域后来居上，达到国际先进水平。已在Nature，Science，Nature Physics，Nature Photonics，Physical Review Letters, Nature Communications, Nano Letters，PRB，APL等发表论文50余篇，承担国家和省市项目多项。

他的研究小组目前致力于利用分子束外延和芯片微纳加工技术研制核心量子材料与器件，包括：（1）用于光量子计算的确定性半导体量子点单光子源和纠缠光子源；（2）用于超导量子计算机芯片材料和量子比特器件；（3）量子精密测量关键器件，如冷原子光钟超稳腔的低噪高反膜等。目前已经在中国科学技术大学建立了完整的量子材料与器件研究平台，包括多腔互联的分子束外延设备、各类量子芯片微纳加工设备、材料与器件性能测试设备等。

每年招收2名博士研究生（含硕博连读），具有物理、材料、电子、光学、信息等扎实理工科背景。同时欢迎优秀的本科生到实验室进行实习。我们期望研究生具有勤奋聪明、基础扎实、思维敏捷等品质，同时有较强的动手能力、中英文表达能力。我们认为团队合作、自我驱动和强烈的进取意识是高质量完成学业与科研所必不可少的。