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个人简介

Yuan Qin (覃愿)

Tenure-Track Professor

IEEE Member

School of Integrated Circuits, School of Microelectronics

University of Science and Technology of China

Hefei 230026, China

Email: qinyuan@ustc.edu.cn

覃愿，特任教授，博士生导师，国家海外高层次青年人才。长期致力于 (超)宽禁带半导体功率与光电子材料、器件与集成技术研究。主要包括相关材料的生长与表征、器件设计与物理机制、器件微纳加工与制造、电路测试与可靠性表征，以及大规模器件集成与系统研究。近年来在Nature Communications、Advanced Materials、Acs Photonics、IEEE EDL/T-ED，以及微电子器件领域顶级会议VLSI/IEDM/ISPSD等国际权威期刊和会议发表论文60余篇。其中连续五年被微电子器件顶会VLSI/IEDM/ISPSD接收论文6篇，其中一篇被选为功率/射频单元年度亮点文章，4篇第一作者论文入选ESI高被引论文，2篇第一作者论文入选期刊封面。研究工作8次被Semiconductor Today/Compound Semiconductor等杂志专题报道。授权中国发明专利4项，受理美国发明专利1项。

学术兼职

Journal Reviewer

Nature Electronics

Nature Communications

IEEE Electron Device Letters (Golden reviewer for 2025)

IEEE Transactions on Electron Devices (Golden reviewer for 2025)

IEEE Transactions on Power Electronics

Advanced Electronic Materials

Applied Physics Letters

教育经历

[1] 2016.9-2021.6

中国科学院大学中科院微电子研究所 | 微电子学与固体电子学 | 博士 | 博士研究生毕业

工作经历

[1] 2026.3-至今

中国科学技术大学 | 集成电路学院 | 特任教授

[2] 2024.6-2026.1

美国弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech） | Center for Power Electronics Systems | 研究员

[3] 2022.1-2024.6

美国弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech） | Center for Power Electronics Systems | 博士后

[4] 2021.7-2021.12

上海华为技术有限公司 | 研发工程师

覃愿 (特任教授)

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教育经历

工作经历