一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法
点击次数：
所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：苗继斌
专利说明：发明
申请号：201410102732.1
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2014-06-18
授权日期：2016-04-20
第一作者：徐铜文
博士生导师
电子邮箱：
联系方式：0551-63601587
学位：博士
一种多硅交联剂及其扩散渗析专用阴离子膜的制备方法
点击次数：
所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：苗继斌
专利说明：发明
申请号：201410102732.1
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2014-06-18
授权日期：2016-04-20
第一作者：徐铜文