孙永福
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专利
局部氧化的SnS2薄片的制备方法及其产品和用途
发布时间：2021-07-24点击次数：
所属单位：
中国科学技术大学
发明设计人：
焦星辰,谢毅
专利说明：
发明公开
申请号：
201710455988.4
发明人数：
3
是否职务专利：
否
公开日期：
2019-01-04
第一作者：
孙永福