语言选择
English
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
登录
副教授
电子邮箱：
6a4aa25014bf967c0f768a47c709953b319a20bde95d602864415b2573e7d4f2b15f1cdedbcda90097409e64f2ea1baa3b474cd66eb21db3a94a8970dd687644ce0152f6675b77e3ec90993c2c0f91876697a28cedde135bf21de328e4934c7d6cae5a5a752d0b67cfe96d695849a075409de8dda401a0349ae040b6b95ca93a
学位：
博士
专利
当前位置:
中文主页
>>
科学研究
>>
专利
一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用
所属单位：
中国科学技术大学
发明设计人：
郭宇桥,谢毅
专利说明：
发明公开
申请号：
201910489976.2
发明人数：
3
是否职务专利：
否
公开日期：
2019-10-18
第一作者：
吴长征
下一条：
测温仪标定装置及使用该装置对测温仪标定的方法
