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专利
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高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及制备方法
  • 所属单位:中国科学技术大学
  • 发明设计人:樊荣,胡源,陈仙辉
  • 专利说明:发明
  • 申请号:00135435.3
  • 发明人数:4
  • 是否职务专利:
  • 公开日期:2002-07-24
  • 授权日期:2004-07-28
  • 第一作者:桂宙