一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法
点击次数:
所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:胡广海,金晓丽,袁林,张乔枫,杨尚川
专利说明:发明
申请号:201510066212.4
发明人数:6
是否职务专利:否
公开日期:2015-06-24
第一作者:谢锦林
一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法
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所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:胡广海,金晓丽,袁林,张乔枫,杨尚川
专利说明:发明
申请号:201510066212.4
发明人数:6
是否职务专利:否
公开日期:2015-06-24
第一作者:谢锦林