一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源
点击次数：
所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：胡广海,金晓丽,袁林,张乔枫,杨尚川
专利说明：实用新型
申请号：201520090240.5
发明人数：6
是否职务专利：否
公开日期：2015-06-10
授权日期：2015-06-10
第一作者：谢锦林
一种大面积高电离率氧化物阴极等离子体源
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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：胡广海,金晓丽,袁林,张乔枫,杨尚川
专利说明：实用新型
申请号：201520090240.5
发明人数：6
是否职务专利：否
公开日期：2015-06-10
授权日期：2015-06-10
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