中国科学技术大学刘建北--中文主页-- 抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法

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抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法

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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：宋国锋,吕游,尚伦霖,张广安,鲁志斌,刘建北,张志永,邵明
专利说明：发明公开
申请号：201811616624.0
发明人数：9
是否职务专利：否
公开日期：2019-03-19
第一作者：周意

上一条：一种用做数字强子量能器的薄型GEM探测器及其组装方法