Effect of vacancy charge state on positron annihilation in silicon
点击次数：
DOI码：10.1088/1674-1056/22/10/106104
发表刊物：CHINESE PHYSICS B
第一作者：刘建党
通讯作者：刘建党
论文编号：000326616700056
卷号：22
期号：10
ISSN号：1674-1056
是否译文：否
发表时间：2013-09-30
收录刊物：SCI
电子邮箱：
办公地点：物质科研楼C1208
联系方式：0551-63607445
学位：博士
学科：物理学
Effect of vacancy charge state on positron annihilation in silicon
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DOI码：10.1088/1674-1056/22/10/106104
发表刊物：CHINESE PHYSICS B
第一作者：刘建党
通讯作者：刘建党
论文编号：000326616700056
卷号：22
期号：10
ISSN号：1674-1056
是否译文：否
发表时间：2013-09-30
收录刊物：SCI