光学浮熔区法单晶生长炉
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浮区法是生长高温超导氧化物单晶的重要方法，它的主要优点是不需要坩埚，污染可以降至最低限度。光学浮熔区单晶炉可以不受坩埚熔点的限制生长极高熔点的材料，如高熔点氧化物单晶、碳化物单晶、难熔金属等。单晶炉利用四套卤素灯和凹面镜的组合作为加热源，最高工作温度可达2100 ℃。
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办公地点：Physics Building, Room 308A
联系方式：63603408
学位：博士
光学浮熔区法单晶生长炉
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