语言选择
English
首页
科学研究
研究领域
论文成果
专利
著作成果
科研项目
教学研究
教学资源
授课信息
教学成果
获奖信息
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
登录
教授
电子邮箱：
826107aa0ecda20e0e1071cb71e287a912d5b20a94f4c52435868b353da863f6bfc6bcd4926e16f0e4416e51b8bb15e9c31d85a0df38063ed475e6acfb9ab61a11bcefe775f06f286eb1dec5d1479d3216cbf8e752e84d58a5a30d3c26120fda01b6ddc419c66cc51b5a8ebcfda161a38d6fd5581973f65245455b8123f046c2
职务：
微电子学院执行院长
学位：
博士
专利
当前位置:
中文主页
>>
科学研究
>>
专利
含电流阻挡层的氧化镓半导体制备方法和氧化镓半导体
所属单位：
中国科学技术大学
发明设计人：
熊文豪,吴枫
专利说明：
发明公开
申请号：
201910767717.1
发明人数：
3
是否职务专利：
否
公开日期：
2019-11-26
第一作者：
龙世兵
上一条：
形成氧化镓器件隔离的方法以及氧化镓隔离器件
下一条：
氧化镓晶体管及其制备方法
