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特任副研究员
- 电子邮箱:81f04acb51f66d2b63a253a3d1c143e2ba8c959ab062c9bb9ef1812c9de2e9c1f6d9afa3ff55998be3f264a983795edd6c08d940505df6ec8d77076ece005e37f6263a1f3e533f02bd5110c957001175cb683f1c36160d6480da4dd554acec81cb71abda10a28a9e016d3625875e6106eefeb6219aafffd3ccf7b5558a5edb9e
- 学位:博士
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电子元器件低温电学性能测试装置
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所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:路腾腾,李臻,雒超
专利说明:实用新型
申请号:201721350534.2
发明人数:4
是否职务专利:否
公开日期:2018-07-24
授权日期:2018-07-24
第一作者:郭国平