Interplay of the doped Ge atoms and the N vacancies with the negative
thermal expansion of M-3(Cu1-x Ge (x) )N1-y
- 影响因子：1.81
- DOI码：10.1007/s00339-013-7650-2
- 发表刊物：APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
- 通讯作者：潘必才
- 论文编号：000332418000018
- 卷号：114
- 期号：3
- 页面范围：785-791
- ISSN号：0947-8396
- 是否译文：否
- 发表时间：2014-02-28
- 收录刊物：SCI
