抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法
点击次数：
所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：宋国锋,吕游,尚伦霖,张广安,鲁志斌,刘建北,张志永,邵明
专利说明：发明公开
申请号：201811616624.0
发明人数：9
是否职务专利：否
公开日期：2019-03-19
第一作者：周意
电子邮箱：
学历：博士研究生毕业
学位：博士
毕业院校：中国科学技术大学
学科：物理学
抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法
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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：宋国锋,吕游,尚伦霖,张广安,鲁志斌,刘建北,张志永,邵明
专利说明：发明公开
申请号：201811616624.0
发明人数：9
是否职务专利：否
公开日期：2019-03-19
第一作者：周意