аЯрЁБс>ўџ ')ўџџџ&џџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџьЅС`№П$ bjbjц‡ц‡.„э„э$џџџџџџЄЄЄЄЄЄЄЄИРРРР Ь ИнЖфффффффф\^^^^^^$“hћо‚Єффффф‚ЄЄфф—ф^ЄфЄф\ф\rTЄЄфи  ќр4A•ХРBn\­0н|žйXЌййЄ(4ффффффф‚‚фффнффффИИИфœ$ИИИœИИИЄЄЄЄЄЄџџџџ Spin polarization and charge density distribution in diluted magnetic semiconductor multilayered structures I. C. da Cunha Lima Instituto de Fэsica, Universidade do Estado do Rio de Janeiro, Brazil e-mail: ivancl@globo.com Inhomogeneous spin polarization occurs in confined magnetic ordered systems. Of particular interest are diluted magnetic semiconductor (DMS) heterostructures where, at sufficient low temperatures, ferromagnetism may be established, and, in that case, ferromagnetic layers lie adjacent to non-magnetic ones. This is the case, for instance, of GaMnAs/GaAs heterostructures. At equilibrium, a finite spin coherence length of carriers in extended states determines the possibility of the occurrence of ferromagnetism. In non-equilibrium situation, a spin-dependent in-plane mobility appears, since different spin polarizations travel in separated regions. Here, we show how spin polarization affects the mobility and the transition temperature of the ferromagnetic phase in GaMnAs/GaAs multilayers. Then, we show the charge density and the spin polarization distribution in several of these DMS systems. These calculations point to the possibility of the engineering of the structure aiming a better spin-polarized mobility and/or a higher transition temperature for the ferromagnetic phase. 1Tklm€ЦЧпрс_ ~ „ … Є Ѕ І ь ї h  Ž А ] f o n z  „ № є њ # $ ѕчѕчпидаЩдидОЖОЖОЖОЖЋОЋЖЋО О Ћ ˜ ЖЋ Оh'mH sH ht*гheюmH sH ht*гht*гmH sH ht*гmH sH ht*гhg-mH sH  h\9ыh\8xh\8xh\9ы h\9ыh\9ыh\9ыmH sH h\9ыh\9ы5>*mH sH hg-5>*mH sH %lmЧрс$ їђїїїђъ$a$gdg-gd\9ы$a$gd\9ы$ §,1hА‚. АЦA!АЅ"АЅ#‰$‰%ААФАФ Ф†œ@@ёџ@ NormalCJ_HaJmHsHtH>A@ђџЁ> Fonte parсg. padrуoTiѓџГT  Tabela normalі4ж l4жaі ,kєџС, Sem lista$џџџџlmЧрс&˜0€€˜0€€˜0€€˜0€€˜0€€˜0€€˜0€€&š€€8M$ $ $ ~~„…ЄЅІЇВьŠŠ„&ЄЕ&31TkЧрс~~„…ЄЅІЇВьїhŠŠАnz„№њ&„‡&к"д дƒNЬџџџџџџџџџ%1d\о=x7џџџџџџџџџђX\pђв*џџџџџџџџџ?~6чžЕџџџџџџџџџ„8„0§Ц8^„8`„0§o(.€ „ „˜ўЦ ^„ `„˜ў‡hˆH.‚ „p„LџЦp^„p`„Lџ‡hˆH.€ „@ „˜ўЦ@ ^„@ `„˜ў‡hˆH.€ „„˜ўЦ^„`„˜ў‡hˆH.‚ „р„LџЦр^„р`„Lџ‡hˆH.€ „А„˜ўЦА^„А`„˜ў‡hˆH.€ „€„˜ўЦ€^„€`„˜ў‡hˆH.‚ „P„LџЦP^„P`„Lџ‡hˆH.„8„0§Ц8^„8`„0§OJPJQJ^J.€ „ „˜ўЦ ^„ `„˜ў‡hˆH.‚ „p„LџЦp^„p`„Lџ‡hˆH.€ „@ „˜ўЦ@ ^„@ `„˜ў‡hˆH.€ „„˜ўЦ^„`„˜ў‡hˆH.‚ „р„LџЦр^„р`„Lџ‡hˆH.€ „А„˜ўЦА^„А`„˜ў‡hˆH.€ „€„˜ўЦ€^„€`„˜ў‡hˆH.‚ „P„LџЦP^„P`„Lџ‡hˆH.„8„0§Ц8^„8`„0§o(.€ „ „˜ўЦ ^„ `„˜ў‡hˆH.‚ „p„LџЦp^„p`„Lџ‡hˆH.€ „@ „˜ўЦ@ ^„@ `„˜ў‡hˆH.€ „„˜ўЦ^„`„˜ў‡hˆH.‚ „р„LџЦр^„р`„Lџ‡hˆH.€ „А„˜ўЦА^„А`„˜ў‡hˆH.€ „€„˜ўЦ€^„€`„˜ў‡hˆH.‚ „P„LџЦP^„P`„Lџ‡hˆH.„8„0§Ц8^„8`„0§OJPJQJ^J.€ „ „˜ўЦ ^„ `„˜ў‡hˆH.‚ „p„LџЦp^„p`„Lџ‡hˆH.€ „@ „˜ўЦ@ ^„@ `„˜ў‡hˆH.€ „„˜ўЦ^„`„˜ў‡hˆH.‚ „р„LџЦр^„р`„Lџ‡hˆH.€ „А„˜ўЦА^„А`„˜ў‡hˆH.€ „€„˜ўЦ€^„€`„˜ў‡hˆH.‚ „P„LџЦP^„P`„Lџ‡hˆH.%1d\?~к"д ђX\pџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџ<‚:вŠ7(уfДFM”Ш @хg-'\8xt*гш\9ыeюџ@€„„ $„„$P@џџUnknownџџџџџџџџџџџџG‡z €џTimes New Roman5€Symbol3& ‡z €џArial"1ˆ№ФЉ'є—Ц;є—ЦЭW ЭW !№Ѕ‰ДД24d""2ƒQ№HX)№џ?фџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџ\9ы2џџRHigh temperature ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor heterostructuresIvanIvan    ўџр…ŸђљOhЋ‘+'Гй0И˜є(8 HT t € Œ˜ ЈАфTHigh temperature ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor heterostructuresIvanNormalIvan4Microsoft Office Word@xAЫ@b5U>•Х@кv A•ХЭWўџеЭеœ.“—+,љЎ0< hp|„Œ” œЄЌД М ф "и SHigh temperature ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor heterostructures Tэtulo ўџџџ ўџџџўџџџ !"#$%ўџџџ§џџџ(ўџџџўџџџўџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџRoot Entryџџџџџџџџ РF€уь4A•Х*€1Tableџџџџџџџџ ѕWordDocumentџџџџџџџџ.SummaryInformation(џџџџDocumentSummaryInformation8џџџџџџџџџџџџCompObjџџџџџџџџџџџџuџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџўџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџџўџ џџџџ РF#Documento do Microsoft Office Word MSWordDocWord.Document.8є9Вq