一种Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及固熔体薄膜的制备方法
点击次数:
所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:唐凯斌
专利说明:发明
申请号:200510037719.3
发明人数:2
是否职务专利:否
公开日期:2006-08-02
授权日期:2009-04-01
第一作者:杨晴
一种Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及固熔体薄膜的制备方法
点击次数:
所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:唐凯斌
专利说明:发明
申请号:200510037719.3
发明人数:2
是否职务专利:否
公开日期:2006-08-02
授权日期:2009-04-01
第一作者:杨晴