唐凯斌  (教授)

电子邮箱:

联系方式:0551-63601791

学位:博士

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利

一种Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及固熔体薄膜的制备方法

点击次数:

所属单位:中国科学技术大学

发明设计人:唐凯斌

专利说明:发明

申请号:200510037719.3

发明人数:2

是否职务专利:

公开日期:2006-08-02

授权日期:2009-04-01

第一作者:杨晴

上一条: 一种CdSnO3纳米材料及其制备方法和应用