Influence of surface null potential on nonvolatile bistable resistive
switching memory behavior of dilutely aluminum doped ZnO thin film
- 影响因子：3.597
- DOI码：10.1063/1.4811256
- 发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
- 通讯作者：王海千
- 论文编号：000320962400100
- 卷号：102
- 期号：24
- ISSN号：0003-6951
- 是否译文：否
- 发表时间：2013-06-17
- 收录刊物：SCI
