Spin relaxation in n-type GaAs quantum wells with transient spin grating
点击次数：
影响因子：2.286
DOI码：10.1063/1.2899962
发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：翁明其
通讯作者：翁明其
论文编号：000254536900059
卷号：103
期号：6
ISSN号：0021-8979
是否译文：否
发表时间：2008-03-15
收录刊物：SCI
电子邮箱：
学位：博士
Spin relaxation in n-type GaAs quantum wells with transient spin grating
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影响因子：2.286
DOI码：10.1063/1.2899962
发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：翁明其
通讯作者：翁明其
论文编号：000254536900059
卷号：103
期号：6
ISSN号：0021-8979
是否译文：否
发表时间：2008-03-15
收录刊物：SCI