吴枫
吴枫
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专利
氧化镓MOSFET的制备方法
发布时间：2021-07-24点击次数：
所属单位：
中国科学技术大学
发明设计人：
向学强,吴枫
专利说明：
发明公开
申请号：
201910879776.8
发明人数：
3
是否职务专利：
否
公开日期：
2019-12-13
第一作者：
龙世兵