中国科学技术大学吴文彬--中文主页-- 一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法

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一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法

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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：吴文彬
专利说明：发明
申请号：200810117615.7
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2008-12-24
授权日期：2011-06-15
第一作者：高关胤