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具有各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用

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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：黄振,吴文彬
专利说明：发明
申请号：201010110878.2
发明人数：3
是否职务专利：否
公开日期：2010-07-14
授权日期：2012-10-03
第一作者：王凌飞