中国科学技术大学吴长征--中文主页-- 一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用

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一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用

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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：郭宇桥,谢毅
专利说明：发明公开
申请号：201910489976.2
发明人数：3
是否职务专利：否
公开日期：2019-10-18
第一作者：吴长征

上一条：一种活性炭限域的贵金属催化剂及其制备方法以及应用

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