对GaN生长动力学、生长环境以及缺陷形成机理的做了比较充分的分析，指出原生GaN薄膜中最可能出现的缺陷与杂质以及这些缺陷与杂质对发光的影响。在此基础上，通过对GaN/蓝宝石系统的纵深剖面元素分布的研究，以及对GaN薄膜的温度霍尔效应的研究，确立了GaN/蓝宝石系统界面n+简并薄层的存在和成因、该薄层对GaN薄膜电学输运特性的影响，以及整个系统中沿深度分布的补偿机理。

对GaN生长动力学、生长环境以及缺陷形成机理的做了比较充分的分析，指出原生GaN薄膜中最可能出现的缺陷与杂质以及这些缺陷与杂质对发光的影响。在此基础上，通过对GaN/蓝宝石系统的纵深剖面元素分布的研究，以及对GaN薄膜的温度霍尔效应的研究，确立了GaN/蓝宝石系统界面n+简并薄层的存在和成因、该薄层对GaN薄膜电学输运特性的影响，以及整个系统中沿深度分布的补偿机理。首次用“双施主杂质能带”的概念解释低温下的载流子饱和特性。这一研究确立了用常规工艺生长的GaN器件的电学输运机制的弱点来自于界面简并层，薄膜生长及热处理时的高温所导致的原子扩散正是简并层的成因。结果在APL 和JAP发表。