Effects of stacking order, layer number and external electric field on
electronic structures of few-layer C2N-h2D
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DOI码：10.1039/c5nr03895b
发表刊物：NANOSCALE
通讯作者：杨金龙
论文编号：000359546900031
卷号：7
期号：33
页面范围：14062-14070
ISSN号：2040-3364
是否译文：否
发表时间：2014-11-30
收录刊物：SCI
