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    杨晴

    • 教授
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    • 学位:博士
    • 2006当选:教育部“新世纪优秀人才支持计划“入选者

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    一种Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及固熔体薄膜的制备方法

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    所属单位:中国科学技术大学

    发明设计人:唐凯斌

    专利说明:发明

    申请号:200510037719.3

    发明人数:2

    是否职务专利:

    公开日期:2006-08-02

    授权日期:2009-04-01

    第一作者:杨晴