中国科学技术大学俞书宏--中文主页-- 一种掺杂F的氧化铁大面积电容材料、高能量密度和功率密度电容器及其制备方法和应用

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一种掺杂F的氧化铁大面积电容材料、高能量密度和功率密度电容器及其制备方法和应用

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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：陈立锋,马骁
专利说明：发明
申请号：201310455100.9
发明人数：3
是否职务专利：否
公开日期：2015-04-15
授权日期：2018-04-10
第一作者：俞书宏