Hole Carriers Doping Effect on the Metal-Insulator Transition of
N-Incorporated Vanadium Dioxide Thin Films
发布时间：2021-07-23 点击次数：次
DOI码：10.1021/jp502000s
发表刊物：JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
第一作者：张文华
通讯作者：张文华
论文编号：000337783900029
卷号：118
期号：24
页面范围：12837-12844
ISSN号：1932-7447
是否译文：否
发表时间：2014-06-19
收录刊物：SCI