电子邮箱：1a1f0559310982f7e3d9c64e01c4555db8baca32dd2192ecc2de0193f7aafbd040a9d0a412a546e6d7293d5af7b854482dc450853edb1bcb3f20e9c274794b079e5a40faf483c66f595359e6122073d8137fc6ae136060f6dc79cbf180f460bca0c78c5f7f129eb1adffa7574885673d4db35c780ef8fdfb0b19c3012528ac65
联系方式：0551－63601791
学位：博士
一种Ⅲ－Ⅴ族半导体化合物及固熔体薄膜的制备方法
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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：唐凯斌
专利说明：发明
申请号：200510037719.3
发明人数：2
是否职务专利：否
公开日期：2006-08-02
授权日期：2009-04-01
第一作者：杨晴
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