杨树  (教授)

Shu Yang （杨树）
Professor

IEEE Senior Member

School of Microelectronics

University of Science and Technology of China

Hefei 230026, China

Email: eesyang@ustc.edu.cn

杨树，中国科学技术大学微电子学院教授，博士生导师。

2010年于复旦大学获微电子学学士学位；2014年于香港科技大学获电子计算机工程博士学位（导师：IEEE Fellow， Kevin J. Chen教授）；

2014年-2016年分别于香港科技大学担任客座助理教授、英国剑桥大学任博士后（合作教授：英国皇家工程院院士Florin Udrea教授）。

主要从事宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和2.0kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目（结题优秀）、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、台达科教基金重点项目、功率半导体企业委托项目等。在IEEE EDL、IEEE T-PEL和功率半导体领域国际会议IEEE ISPSD、IEEE IEDM等发表SCI/EI论文80余篇。获得IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award（全球每年1~2位青年学者，该奖项创办30年来首位中国大陆获奖者）、达摩院青橙奖、MIT Technology Review亚太区35岁以下科技创新35人、中达青年学者奖、中国电源学会科学技术奖-优秀青年奖等。担任IEEE EDS Power Devices and ICs技术委员会委员，功率半导体领域国际顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员（2019~2023），中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编，IEEE JESTPE客座编委。

学术兼职：
IEEE EDS Power Devices and ICs Committee Member;
Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编;
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics客座编委;
中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，元器件专委会委员;
IEEE ISPSD技术委员会委员 (2019~2023), ISPSD’2023 Short Course Chair& Publication Co-Chair;

IEEE ECCE (2022~2024) Topic Chair, IEEE EDTM(2022/2023)、IEEE PEAC’2018技术委员会委员;

IEEE WiPDA Asia’2018组委会成员;
IEEE高级会员。