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一种低温宽频带低噪声放大器,

郭国平, 郑智雄, 李海欧, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2014/12/4, 授权时间 2017/7/28 专利号 ZL201410735258.6. 已授权.

一种极低温下半导体量子点低噪测量系统,

尚汝南, 郭国平, 李海鸥, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2013/4/12, 授权时间 2015/5/27 专利号 ZL201310125176.5. 已授权.

一种低温定向耦合器,

刘哲雨, 郭国平, 李海鸥, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2013/5/11, 授权时间 2016/1/6 专利号 ZL201310173048.8. 已授权.

GaAs/AlGaAs 半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法,

尤杰, 郭国平, 李海欧, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2014/5/27, 授权时间 2016/5/26 专利号 ZL201410229185.3. 已授权.

GaAs/AlGaAs 半导体异质结结构的霍尔棒及其制作方法,

李海欧, 郭国平, 尤杰, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2014/5/27, 授权时间 2017/3/29 专利号 ZL201410231897.9. 已授权.

一种高精度偏置电压控制设备及直流稳压电源,

郭国平, 周诚, 王永刚, 涂涛, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2012/10/30, 授权时间 2014/8/6 专利号 ZL201210424402.5. 已授权.

空穴型半导体异质结霍尔棒、其制备和使用方法及用途,

李海欧, 袁龙, 王柯,
申请时间 2017/6/27, 授权时间 专利号 201710498740.6. 申请中.

空穴型半导体电控量子点器件, 其制备及使用方法,

李海欧, 袁龙, 王柯,
申请时间 2017/6/27, 授权时间 专利号 201710498737.4. 申请中.

CVD生长多层异质结的方法和装置,

郭国平, 杨晖, 李海欧,
申请时间 2017/6/13, 授权时间 专利号 201710440556.6. 申请中.

一种化学气相沉积系统,

郭国平, 杨晖, 李海欧, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2017/3/27, 授权时间 2017/11/3 专利号 ZL201720306140.0. 已授权.

一种超导微波纳米谐振腔,

郭国平, 杨鑫鑫, 贾志龙, 孔伟成, 段鹏, 薛光明,
申请时间 2017/3/20, 授权时间 2017/11/3 专利号 ZL201720276021.5. 已授权.

一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器,

郭国平, 郑智雄, 李海欧, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2015/6/23, 授权时间 2015/10/21 专利号 ZL201520435391.X. 已授权.

一种含直流引线结构的3D微波谐振腔,

郭国平, 孔伟成, 邓光伟, 李舒啸, 李海欧, 曹刚, 肖明,
申请时间 2015/4/3, 授权时间 2015/7/22 专利号 ZL201520201982.0. 已授权.

一种低温宽频带低噪声放大器,

郭国平, 郑智雄, 李海欧, 曹刚, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2014/12/4, 授权时间 2015/3/25 专利号 ZL201420759238.8. 已授权.

反射式超导传输线谐振腔,

张苗磊, 郭国平, 邓光伟, 李舒啸, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2013/4/22, 授权时间 2013/12/11 专利号 ZL201320203425.3. 已授权.

低温低噪声放大器,

郭国平, 刘哲雨, 肖明, 郭光灿,
申请时间 2013/4/22, 授权时间 2013/11/13 专利号 ZL201320202607.9. 已授权.

空穴型半导体电控量子点器件和装置,

李海欧, 袁龙, 王柯,
申请时间 2017/6/27, 授权时间 2017/12/28 专利号 ZL201720754015.6. 已授权.

一种用于CVD固态源的挥发装置,

郭国平, 杨晖, 李海欧,
申请时间 2017/4/24, 授权时间 专利号 201720434437.5. 申请中.

CVD生长多层异质结的装置,

郭国平, 杨晖, 李海欧,
申请时间 2017/6/13, 授权时间 专利号 201720679431.4. 申请中.

空穴型半导体异质结霍尔棒,

李海欧, 袁龙, 王柯,
申请时间 2017/6/27, 授权时间 专利号 201720754071.X. 申请中.