Tuning of the hole spin relaxation time in single self-assembled
In1-xGaxAs/GaAs quantum dots by electric field
- 影响因子：2.286
- DOI码：10.1063/1.4902825
- 发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- 通讯作者：何力新
- 论文编号：000345640200021
- 卷号：116
- 期号：20
- ISSN号：0021-8979
- 是否译文：否
- 发表时间：2014-11-28
- 收录刊物：SCI
