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正高级工程师
电子邮箱：
学位：学士
一种变间距光栅的近场全息-离子束刻蚀制备方法
点击次数：
所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：李媛芳,刘正坤,陈火耀,邱克强,徐向东,洪义麟,付绍军
专利说明：发明
申请号：201510988326.4
发明人数：8
是否职务专利：否
公开日期：2016-03-16
授权日期：2017-11-24
第一作者：刘颖
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所属单位：中国科学技术大学
发明设计人：李媛芳,刘正坤,陈火耀,邱克强,徐向东,洪义麟,付绍军
专利说明：发明
申请号：201510988326.4
发明人数：8
是否职务专利：否
公开日期：2016-03-16
授权日期：2017-11-24
第一作者：刘颖