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一种X射线薄膜窗口电极的制备优化方法以及由此得到的X射线薄膜窗口电极

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Patent Applicant:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Disigner of the Invention:于鹏飞,张念,任国玺,郑顺,liuxiaosong
Patent description:本发明涉及一种X射线薄膜窗口电极的制备优化方法,包括:根据电极材料确定X射线能量范围;根据特定能量范围内的X射线穿透能力确定至少一个基体层;根据特定能量范围内的X射线穿透能力确定至少一个导电层;得到导电层覆盖在基体层上的至少一个复合层;根据复合层的O和HO透过率确定至少一个复合层;结合标准电极材料的谱学信号测试确定复合层的最佳材料和最佳厚度;在复合层上形成电极层,从而得到X射线薄膜窗口电极.本发明还涉及一种X射线薄膜窗口电极,包括由基体层,导电层和电极层依次复合形成的三层复合结构.本发明同时兼顾电化学及光谱学测试因素,提出高效的窗口电极复合结构,制定窗口电极的理性优化方案.
Type of Patent:发明专利
State of Patent:Authorized patents
Application Number:CN201910618474.5
Authorization number:CN110473754B
Number of Inventors:5
Service Invention or Not:no
Application Date:2019-07-10
Publication Date:2019-11-19
Authorization Date:2020-07-31

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