原子层沉积系统
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ALD-T100H原子层沉积系统
ALD-T100H由是专门为先进集成电路工艺和特殊纳米涂层工艺研制的高温型、快速原子层沉积系统。系统结构紧凑、集成度高，可实现全流程自动化控制，可在平面及三维结构材料上沉积致密纳米薄膜，广泛应用于high-K栅极绝缘层、铁电材料、OLED封装层、太阳能电池钝化层、锂离子电池、光学元件镀膜、MEMS等诸多领域。
●仪器尺寸：1050*750*1100（mm）
●真空度：<3.0×10-3Torr
●基片尺寸：4inch并兼容以下尺寸
●基片加热温度：400℃
●样品温度均匀性：±1℃
●温度控制精度：±0.1℃
●前驱体源数量：6路
●膜厚均匀性：≤±1%
●循环时间：＜4s/cycle
●颗粒度：0.3 um以上颗粒增加值<30颗
●沉积材料种类：HfO2、ZrO2、A2O3、TiO2、ZnO、MgO、SnO2、SiO2、Pt及其复合薄膜等