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王进红

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An Effective Mobility Extraction Methodology for Cryogenic MOSFETs at 4 K

发布时间：2026-02-28

点击次数：

发表刊物：: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

是否译文：: 否

附件：

An_Effective_Mobility_Extraction_Methodology_for_Cryogenic_MOSFETs_at_4_K.pdf

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