首次用射频溅射法，在反应室中通以过量氧与纯锌反应，在n型Si衬底上生长出p型ZnO薄膜。p-ZnO的反型率、发光特性和p-ZnO/ n-Si异质结特性均优于日本研究人员用直流溅射法生长的p-ZnO/ n-Si异质结。

首次用射频溅射法，在反应室中通以过量氧与纯锌反应，在n型Si衬底上生长出p型ZnO薄膜。p-ZnO的反型率、发光特性和p-ZnO/ n-Si异质结特性均优于日本研究人员用直流溅射法生长的p-ZnO/ n-Si异质结。首次在n型Si衬底上用射频溅射法生长出ZnO同质p-n结, 其光学、电学特性优于日本研究人员用直流溅射法在n-Si生长的ZnO p-n同质结以及美国研究人员在GaAs上用热扩散法生长的ZnO p-n同质结。具体结果投APL和JCG。