用光增强电流谱(PSCS)测量Al+的注入产生的高阻GaN薄膜中的深能级。Al的注入，在n型GaN中形成了一个“准深能级带”，反映在低温PL谱上则是带边及2.2eV黄色荧光的消失。采用一定条件下的退火，使准深能级带“缩”为几个独立的深电子陷阱。黄色荧光也得到一定恢复。此研究有助于了解离子注入对GaN发光产生的影响。

用光增强电流谱(PSCS)测量Al+的注入产生的高阻GaN薄膜中的深能级。Al的注入，在n型GaN中形成了一个“准深能级带”，反映在低温PL谱上则是带边及2.2eV黄色荧光的消失。采用一定条件下的退火，使准深能级带“缩”为几个独立的深电子陷阱。黄色荧光也得到一定恢复。此研究有助于了解离子注入对GaN发光产生的影响。PSCS的设计为首次发表，它适用于一切用现有方法（包括ODLTS）不能测量的高阻样品中的深陷阱能级。结果在TSF发表。