一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法
点击次数:
所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:刘伟丰,江国顺,朱长飞
专利说明:发明
申请号:201010211713.4
发明人数:4
是否职务专利:否
公开日期:2011-05-11
授权日期:2012-06-20
第一作者:陈祥洲
一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法
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所属单位:中国科学技术大学
发明设计人:刘伟丰,江国顺,朱长飞
专利说明:发明
申请号:201010211713.4
发明人数:4
是否职务专利:否
公开日期:2011-05-11
授权日期:2012-06-20
第一作者:陈祥洲