超快成像课题组主要发展和使用先进超快显微成像技术研究新型半导体功能材料和器件在飞秒和纳米尺度下的能量转换机理。具体的研究方向如下：

                                                                                                                                             

                                                                                                           研究背景：低维半导体光电器件电荷和能量迁移机制

                    

                       研究兴趣：

                         1. 发展具有高时间(< 100 fs)和空间分辨能力(<100 nm)的新型超快显微成像技术

                             

                                                                                                                                    图1，基于泵浦-探测原理设计新型超快瞬态吸收显微镜的示意图

                          

                       2.  利用超快成像技术研究新型低维纳米功能材料材料的载流子动力学和输运行为 

                                                                                                                                   图2，利用超快瞬态吸收显微术对二维二硫化钨半导体的激子输运直接成像(JPCL, 2017)

                         3. 利用超快成像手段研究新型低维光电材料界面电荷和能量转移机制

                                                                                                                   图3，二维二硫化钨/石墨烯异质结界面超快电荷转移成像和载流子生成机理研究(Science Advances, 2019)

                         4.  二维过渡金属硫化物异质结层间激子动力学和输运性质研究

                                                                                                                   图4，二维二硫化钨/二硫化硒纵向异质结扭转角度依赖的层间激子动力学和输运行为研究(Nature Materials, 2020)

                       

                         5. 低维材料非稳态输运行为研究

                        

                                                                                                                           图5，二维WSe2-WSSe横向异质结界面电荷转移激子的非稳态莫特相变研究(ArXiv:2111.07887, 2021)