中国科学技术大学温晓镭--中文主页-- Helium Ion-Assisted Wet Etching of Silicon Carbide with Extremely Low Roughness for High-Quality Nanofabrication.

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Helium Ion-Assisted Wet Etching of Silicon Carbide with Extremely Low Roughness for High-Quality Nanofabrication.

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发表刊物：Small Methods
论文类型：期刊论文
文献类型：J
卷号：8
期号：5
页面范围：2301364
是否译文：否
发表时间：2024-01-07
收录刊物：SCI

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