由于在工艺和价格上的优势，在Si和含Si衬底上用溅射法生长ZnO薄膜已在发光器件上得到了普遍应用，但现有的溅射法需与高温退火相配合，方能得到取向较好的薄膜。研究发现退火伴随着三元化合物晶体硅酸锌以及非晶态二氧化硅的产生，它们是520nm绿色荧光以及450nm兰色荧光的主要来源。

由于在工艺和价格上的优势，在Si和含Si衬底上用溅射法生长ZnO薄膜已在发光器件上得到了普遍应用，但现有的溅射法需与高温退火相配合，方能得到取向较好的薄膜。研究发现退火伴随着三元化合物晶体硅酸锌以及非晶态二氧化硅的产生，它们是520nm绿色荧光以及450nm兰色荧光的主要来源。由此建议改进传统的溅射方式由目前通用的固相沉积加前置热丝变为气相沉积，则可以避免高温产生新的化合物对器件性能带来的危害，有益于生长突变型同质p-n结或异质结。结果已在CPL发表。