中国科学技术大学叶邦角--中文主页-- Ga-vacancy induced room temperature ferromagnetism observed in N-irradiated GaN films

叶邦角 ( 教授 )
的个人主页 http://faculty.ustc.edu.cn/yebangjiao/zh_CN/index.htm
教授

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Ga-vacancy induced room temperature ferromagnetism observed in N-irradiated GaN films

点击次数：
影响因子：2.029
DOI码：10.1016/j.cplett.2014.10.045
发表刊物：CHEMICAL PHYSICS LETTERS
通讯作者：叶邦角
论文编号：000345397700029
卷号：616
页面范围：161-164
ISSN号：0009-2614
是否译文：否
发表时间：2014-11-25
收录刊物：SCI

上一条： A new muon-pion collection and transport system design using superconducting solenoids based on CSNS

下一条： Probing the role of cation vacancies on the ferromagnetism of La-doped BiFeO3 ceramics