一种NdGaO3单晶衬底的处理方法
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所属单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
教研室：二室
申请专利人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明设计人：杨海峰,沈大伟, 李明颖, 刘正太, 姚岐, 樊聪聪, 刘吉山
专利说明：无
备注：无
专利类型：发明
专利状态：专利权的终止
申请号：CN201510268586.4
授权号：CN104831348B
发明人数：7
是否职务专利：是
申请日期：4214-06-01
公开日期：4299-12-01
授权日期：2017-09-22
第一作者：杨海峰