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一种变间距光栅的近场全息-离子束刻蚀制备方法
Release time:2021-07-23
Hits:
- Affilication of Author(s):
- 中国科学技术大学
- Disigner of the Invention:
- 李媛芳,liuzhengkun,chenhuoyao,qiukeqiang,xuxiangdong,hongyilin,fushaojun
- Patent description:
- 发明
- Service Invention or Not:
- no
- Publication Date:
- 2016-03-16
- Authorization Date:
- 2017-11-24
- First Author:
- liuying
- Pre One:具有高衍射效率的大口径薄膜衍射元件的制作方法
- Next One:一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法