杨树  (教授)

Shu Yang （杨树）

Professor

IEEE Senior Member

School of Microelectronics

University of Science and Technology of China

Hefei 230026, China

Email: eesyang@ustc.edu.cn

杨树，国家海外高层次青年人才计划入选者，中国科学技术大学微电子学院教授，博士生导师。

2010年于复旦大学获微电子学学士学位；2014年于香港科技大学获电子计算机工程博士学位（导师：IEEE Fellow， Kevin J. Chen教授）；2014年-2016年分别于香港科技大学担任客座助理教授、英国剑桥大学任博士后（合作教授：英国皇家工程院院士Florin Udrea教授）。

主要从事宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出宽温域内高稳定性千伏级GaN器件与抗辐照加固GaN芯片，功率品质因数国际领先；在国际上首次实现了GaN基CMOS功率电路，有效提升了高频功率电路可靠性；相关成果在龙头企业与重点单位获应用。主持国家自然科学基金重点类项目、面上项目（结题优秀）和青年项目（结题优秀），国家重点研发计划课题，教育部联合基金，台达科教基金重点项目，功率半导体企业委托项目等。在IEEE EDL、IEEE T-PEL和功率器件领域顶级会议IEDM、ISPSD等发表SCI/EI论文130余篇。获得达摩院青橙奖、MIT TR35、IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award（该奖项创办30年来首位中国大陆获奖者）、中国电源学会科学技术奖、中达青年学者奖、企业产品线优秀合作项目奖等。担任IEEE EDS Power Devices and ICs技术委员会委员，功率半导体领域国际顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员，中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编，IEEE T-ED和IEEE JESTPE客座编委。

学术兼职：

IEEE EDS Power Devices and ICs Committee Member;

Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编;

IEEE Transactions on Electron Devices客座编委；

IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics客座编委;

中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，元器件专委会副主任委员;

IEEE ISPSD技术委员会委员, ISPSD'2023 Short Course Chair & Publication Co-Chair;

IEEE ECCE Topic Chair, IEEE EDTM、IEEE PEAC技术委员会委员;

IEEE WiPDA Asia'2018组委会成员;

IEEE高级会员。