- High Voltage Blocking Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Device（已授权）,US11588024B2,
- 一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件（已授权）,ZL202310599805.1,
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- 一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件（已授权）,ZL202411613677.2,
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- 一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法（已授权）,2021106084956,
- 一种高功率密度集成PCU模块及液冷设计方法（已授权，已转让）,ZL202011332437.7,
- 一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法（已授权，已转让）,ZL201710035453.1,