- High Voltage Blocking Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Device(已授权),US11588024B2,
- 垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构及制作方法(已授权),ZL201710219954.5,
- 一种用于场效应传感器的跨阻型读出电路及读出方法(已授权),ZL201911127471.8,
- 一种场效应传感器及其检测方法和检测系统(已授权),ZL201911127400.8,
- 一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法(已授权),2021106084956,
- 一种高功率密度集成PCU模块及液冷设计方法(已授权,已转让),ZL202011332437.7,
- 一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法(已授权,已转让),ZL201710035453.1,
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