功率电子器件，宽禁带半导体，氮化镓，微纳制造，传感器，器件设计，物理/电路级测试表征，可靠性
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- 3. J. Du, C. Sun, Q. Tang, B. Jang, Z. Dong, X. Wu, S. Yang*, "An Efficient Swit.
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- 5. X. Xie, M. Wang, Z. Wang, Z. Wang, C. Chu, G. Xu, S. Long, S. Yang*, "Enhance.
- High Voltage Blocking Ⅲ-Ⅴ Semiconductor Device（已授权）,US11588024B2,
- 一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件（已授权）,ZL202310599805.1,
- 一种抗单粒子辐照的GaN HEMT（已授权）,ZL202411613679.1,
- 一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件（已授权）,ZL202411613677.2,
- 垂直型III-V族氮化物功率器件终端结构及制作方法（已授权）,ZL201710219954.5,